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石英坩堝的內(nèi)表面氣泡含量
| 坩堝最內(nèi)表層是指透明層中最靠近內(nèi)表面1-2mm的部分。圖中表明了在使用過程中,坩堝對硅液起作用的機(jī)理--由于與硅液接觸的內(nèi)表面不斷向硅液中熔解,并且伴隨著透明層中的微氣泡不斷的長大,靠近最內(nèi)表面的氣泡破裂,伴隨著硅液釋放石英微顆粒以及微氣泡。而這些雜質(zhì)會以微顆粒以及微氣泡的形式伴隨著硅液流遍整個(gè)硅熔體,直接影響到硅的成晶(整棒率、成晶率、加熱時(shí)間、直接加工成本)以等及單晶硅的質(zhì)量(穿孔片、黑芯片等)。 | |
| 普通坩堝,使用前內(nèi)表面氣泡較多,使用中內(nèi)表面氣泡不斷破裂,直接污染硅熔體、影響單晶拉制,氣泡破裂現(xiàn)象隨著時(shí)間的增加愈加嚴(yán)重,無法滿足長時(shí)間拉晶的需要。 |
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| 高品質(zhì)坩堝,使用前內(nèi)表面基本無氣泡,使用中內(nèi)表面氣泡破裂現(xiàn)象極少,為長時(shí)間拉晶(如多次復(fù)投料)提供保障。 |
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2024-05-31 16:01:10
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